Física de Semicondutores

Física de Semicondutores

Introdução

As atividades de pesquisa do grupo de Semicondutores do Instituto de Física da UFG  concentram-se principalmente no estudo das propriedades de elétrons confinados em heteroestruturas semicondutoras, com ênfase no cálculo da energia das excitações coletivas de um gás de elétrons, da energia de ligação e de transição entre os níveis de impurezas confinadas e das propriedades ópticas e do tunelamento ressonante de elétrons e buracos.

Atividades de Pesquisa

Estudos das propriedades de elétrons confinados em heteroestruturas semicondutoras de dimensionalidade reduzida como poços quânticos, heterojunções, fios quânticos e pontos quânticos compostos principalmente de GaAs-AlGaAs. Uma especial atenção é dada para os efeitos de muitos corpos, como, por exemplo, o cálculo da energia das excitações coletivas de um gás de elétrons confinados em fios quânticos. Também estamos interessados no cálculo das energias de ligação e da energia de transição entre os níveis de uma impureza doadora confinada nestes sistemas, considerando os efeitos do acoplamento elétron-fonon longitudinal óptico e interfacial óptico, bem como o efeito de campos elétricos e magnéticos sobre os estados eletrônicos. Temos também, estudado a estrutura eletrônica de heteroestruturas semicondutoras não dopadas, com dopagem modulada e com dopagem tipo delta sob a ação de campos elétricos e magnéticos externos. Nesses sistemas estamos principalmente interessados em suas propriedades ópticas e no tunelamento ressonante de elétrons e buracos em poços quânticos duplos. As modernas técnicas de crescimento de cristais tais como Epitaxia por Feixe Molecular (MBE) e Deposição de Vapor Organometálico (MOCVD) têm tornado possível a fabricação de estruturas compostas de camadas alternadas de dois, ou mais materiais semicondutores, com alta qualidade e com grande controle sobre a espessura das camadas e interfaces abruptas entre os materiais. A proposta pioneira para este tipo de fabricação partiu de Esaki e Tsu1 no ano de 1970 e gerou até os dias de hoje um grande número de trabalhos experimentais e teóricos, com o objetivo de entender a natureza dos estados eletrônicos associados com essas novas heteroestruturas.

Componentes do Grupo

Antônio Newton Borges
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Francisco Aparecido Pinto Osório
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Márcio Adriano Rodrigues de Souza
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Paulo Cesar Miranda Machado (EE-UFG)
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Salviano de Araújo Leão
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